Совершен прорыв в создании процессоров толщиной в атом

Подробности

Опубликовано 18.03.2019 11:12

Автор: Сергей Шмигирилов

Международная команда исследователей сообщила об открытии нового метода производства двумерных микрочипов, который может привести к появлению еще более миниатюрных и быстрых полупроводников. Ученые под руководством профессора Элайзы Райдо продемонстрировали, что литография превосходит обычные методы создания металлических электродов для двумерных полупроводников, таких как дисульфид молибдена.

Такие переходные металлы способны вытеснить кремний в производстве чипов размеров с атом. Новый метод, названный термальной сканирующей зондовой литографией (t-SPL), обладает рядом преимуществ перед современной электронно-лучевой литографией.

Во-первых, термальная литография значительно повышает качество двумерных транзисторов, компенсируя барьер Шоттки, препятствующий движению электронов на границе металла и двумерного субстрата. Также, в отличие от электронно-лучевой литографии, термальная позволяет разработчикам без труда создать образ двухмерного полупроводника, а затем поместить электроды в нужное место. Кроме того, t-SPL обещает стать более экономичным методом — производство осуществляется в условиях окружающей среды, без необходимости применения высокоэнергетических электронов и сверхвысокого вакуума.

Наконец, этот метод можно легко масштабировать для промышленности благодаря использованию параллельных термальных зондов. Профессор Райдо надеется, что t-SPL поможет отказаться от чистых комнат с дорогим оборудованием, и ученые смогут проводить исследования прямо в лабораториях, быстро создавая и тестируя передовые материалы.

Прошлым летом международная группа физиков сделала важный шаг в разработке двумерных полупроводников, научившись управлять экситонными эффектами в двумерных гетероструктурах. За основу они также взяли другой многообещающий 2D-материал диселенид вольфрамита.